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Vishay的SiZF4800LDT双n通道80 V MOSFET提高了功率密度和效率,同时增强了热性能。
onsemi的NVHL n通道EliteSiC MOSFET在微型TO-247-3封装中提供闪电般的快速转换和卓越的可靠性。
MCC的40 V和60 V汽车级mosfet为各种汽车电子系统应用提供了多功能性和高性能的优势。
MCC的SICW028N120A4-BP 1200 V SiC MOSFET是电源管理应用中工业和商业器件的理想选择。
Micro Commercial Component的SI3134KU6是一款20 V双n沟道MOSFET,专为高速开关而精心设计。
栅极驱动器设计用于驱动SiC mosfet和大功率igbt。
onsemi NTBLS0D08X适合追求MOSFET性能的工程师。它提供了优越的效率和提高开关特性。
欧姆龙的G3VM-63BR/63ER(TR05) MOSFET继电器专为工业和通信设备设计。
我们的无mosfet跟踪和排序控制产品LTC2923, LTC2925和LTC2927与DC/DC转换器和其他允许访问设置输出电压的反馈节点的电源发生器配合得非常好。
低开关损耗,低结壳热阻,非常坚固,易于安装。
AEC-Q101合格的mosfet优化为高电流输出和特性0.8毫欧低RDS(ON)。
适用于光伏逆变器、储能系统和高压dc - dc转换器。
卓越的性能、可靠性和健壮性。
MCC n沟道功率mosfet提供高达2.5 毫欧导通电阻,增强电源管理,并以最小的损耗和AEC-Q101认证提高效率。
onsemi的NVBG EliteSiC mosfet以较小的封装尺寸提供高速开关和低电容。
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